作者：未知 来源：未知 加入时间：2004-12-1

　　首先以DDR333内存为例来回顾一下上周整个一周的价格行情：

图1

　　可以看到，上周DDR333内存颗粒以及模组价格的上涨幅度都已经接近15%，这是一个非常大的幅度，那么出现如此巨大的涨幅，影响它的因素又有哪些呢？接下来听温先生详细讲解：

　　季度分析与回顾

　　Infineon：到目前为止，英飞凌DRAM产业销售策略都锁定在制造厂商，绝不会做白牌DRAM颗粒的买卖。也就是说，英飞凌DRAM销售策略，要不是以英飞凌品牌DRAM模块卖出，就是以英飞凌品牌的DRAM颗粒卖予DRAM模块制造商。过去英飞凌在台湾市场确实较着重OEM厂商，不过，由于台湾DRAM模块产业已有一定规模，英飞凌会继续加强与台湾DRAM模块厂的合作，但前提仍是以英飞凌品牌颗粒售出。目前英飞凌将于8月推出第一片512Mb的Flash芯片，目前英飞凌品牌的SD(Secure Digital)卡及MMC(Multi-Media Card)卡已开始出货，待英飞凌自有品牌Flash产品推出后，将全数改采英飞凌自己的Flash芯片，估计2004年上半可推出1Gb的产品。

　　Micron：全球第二大DRAM供货商美光表示，因撙节支出有成，加上芯片生产情况良好，其2003年度第三季(3～5月)表现可望优于预期。美光表示，其撙节成本计画进度已超乎预期，该公司原希望第三季营运成本能较前一季压低10%，不过实际情形已较预期理想，美光预期，2003年度1MB DRAM生产成本缩减幅度，将高出原订的40%，达到50%，另美光2003年度资本支出额将高于稍早预估的10亿美元，达11亿美元。由于半导体业步入低潮，美光亏损已逾2年，为改善整体表现，该公司纷推动裁员、缩减产品线等方式进行重整。分析师推估，美光2003年度将每股亏损2.25美元。

　　ProMOS：茂德5月约当晶粒产量达1,800万颗，产量已较四月成长8%，当中主要原因来自12吋厂月产能从原先9,000片提升到1.1万片，且良率超过80%，使产出量持续攀高。此外，茂德并于2003年第二季进行生产流程改造，消除生产瓶颈，强化12吋厂竞争优势。茂德指出，正因拥有12吋厂，使DDR400产出颗粒数大幅领先同业。12吋厂产出的DDR 256M，可符合DDR400规格比重已超过90%，而也因茂德(ProMOS)较早进入12吋生产线，目前已成为英特尔(Intel)验证的DDR400国内存储器厂商。茂德目前月产量为1,800万颗256Mb约当颗粒，其中1,100万颗以上已符合DDR 400规格。同时英特尔可能投资茂德，近期出现一些有力证据。首先，英特尔原先规划投资尔必达2亿美元，上周宣布时仅剩1亿美元，据悉剩下的1亿美元，是为投资茂德作准备。

　　Elpida：近日尔必达(Elpida)获得英特尔(Intel)金援，加上日立、NEC两家母厂的资金挹注后，据了解，尔必达扩产所需的6.87亿美元资金已全数到位，将用于尔必达位于广岛(Hiroshima)的12吋厂，预计2004年第一季时，该厂产能将由原来的3,000片，大幅拉高至约1.5万片。至此，尔必达长期以来扩充产能所需的资金缺口，已获得弭平，可说是终于取得DRAM厂终极生存竞赛的入门票。尔必达进一步表示，要在2006年将全球市占率扩充至15%，除了广岛12吋厂的产能需大幅扩充外，更需藉与台湾两家DRAM合作伙伴力晶半导体及茂德协力，再加上大陆中芯(SMIC)的代工产能，才能完成。

　　OEM：6日最新公布的全球DRAM颗粒合约价，虽然如DRAM厂商所愿上扬，但涨幅仅约3%不到，未如预期。虽然DRAM厂商希望6月上旬DRAM合约价能上涨10%，但与OEM业者沟通协调后，OEM厂商不能接受DRAM厂希望的调涨幅度，然而目前DRAM现货市场价格又持续上扬，因此双方经过讨论，合约价仍然得以小幅上扬。虽然涨幅未如预期，不过还是符合DRAM厂调涨的希望。此次256Mb DDR颗粒合约价调涨为3.5～3.9美元，涨幅约2.63～2.94%。三星原本希望调涨后，一支256MB模块的合约价可达35美元，但最后成交仅31～32美元，其它如台湾DRAM厂同规格的报价，也仅卖到30美元。

　　以上是上个季度几大内存芯片厂商以及近期OEM市场的动态，这些因素对市场造成什么程度的影响，让我们一起来看一下温先生对它们的打分。

　　由以上表格可以看出，影响本周内存行情的最主要因素就是OEM市场动态。我们知道，最新公布的内存和约价格虽然较5月底有所上涨，但整体水平仍旧与厂商的预期相差一定距离，由此可能导致内存市场销售信心受到影响。而在温先生的分析当中将OEM因素的涨跌打分打到10%，低于该因素的基础分数的1/2(30% / 2=15%)，说明温先生认为OEM市场需求影响内存价格整体走低。

　　接下来看温先生对本周获利指数的预测：

　　由表格可以看出，本周商家可以基本保持获利，但是获利空间有限，库存需要保持在较低的水位。接下来看温先生针对下周行情提出的操盘建议：

　　下周操作分析

　　供给面：最近的DRAM颗粒价格回涨，并非终端需求浮现，而是DRAM颗粒盘商及通路商在预期需求上扬的心理因素下，不断大量补货囤积库存，在DRAM厂及部分规模较大的模块厂刻意控货之下，使得价格得以翻扬。目前DRAM市场买低卖高的日冲动作频繁，前一阵子疯狂下单囤货居奇的盛况已不复见。5月中至今DRAM价格一路飙涨，涨幅早已超越市场预期，与模块间存在相当大的价差，加上半年报作帐在即，买主不便继续提高库存水位，DRAM芯片价格成长暂且趋缓。交易商套利求现的动作已经开始，目前DRAM芯片库存有往下游移动的趋势，芯片业者库存水位平均已降至3周左右，而大部分模块厂库存与5月初相比，平均至少增加1-2周，零售商与交易商平均库存水位也提升了1周左右。

　　销售面：小温在上期已经提醒您，上周会有续涨，并且获利指数达到了前所未有的80%的高获益率，同时嘱咐您千万小心您的库存，不要超过30%的警戒水位，不要把刚到手的钱又输回去，过个安全的假期。如果您听从了我的建议，不要贪杯，不要超过30%的库存，我想您现在一定很HIGH，不会头痛怎么抛售库存。同时提心吊胆过周末，担心周一的开盘走势。好了，本周您的任务就是抛掉您手中的所有库存，最好是回到10%的水位或做零库存销售。炒做内存最重要的是心态，贪多必失！！！如果您觉得可能下周还会有涨，那您就把涨的记在小温头上，小温保证在下次行情来临时补还给您。

　　利润面：HY获利空间为2%。少数高附加值品牌内存可保持一定获利1%。对上周进货，在不亏损的情况下可以抛售。

　　好了，温先生已经为我们做了详细的分析，接下来我们请深圳的程滨先生结合深圳行情来为我们做评述：

　　我个人的观点是本周内存价格调整难以避免，但调整的幅度不会太大，价格也会在调整中继续走强。以下是本人对本周内存价格的预测和详细分析，仅供参考。(以下模组价格为主流HYNIX品牌)

　　内存价格在连续多天上扬之后，于上周末开始出现小幅调整，业内多空分歧呈现，后市走向如何成为业内关注的焦点。我认为此波调整纯属正常，有利于后市的健康发展。本周DDR400仍将扮演带动大盘走势的角色，有观点认为DDR400涨势过猛，完全来自庄家的拉抬。我的看法是不排除这种因素的存在，但更为关键的是供给面由于良率、筛选率较低(HYNIX良率仅为50%，全球8寸厂现阶段DDR400筛选率不到35%)等因素出货量还比较有限(HYNIX、SAMSUNG DDR400的出货量仅占总出货量的15%左右；MICRON、ELPIDA更是尚无出现在现货市场)；此外美光、Hynix半数8寸旧产能无法转进DDR400成定局，DDR400缺货将持续到年底；同时PCOEM厂也开始加大DDR400的采购力度。因此DDR400价格上涨一定还有较大空间，当然也不排除DDR400会在本周有所调整。DDR333目前已经是HYNIX、SAMSUNG等厂家出货的主流，在国际市场也取代了DDR266的地位，我认为在DDR400的带动下，价格上涨也同样可以期待。至于主流DDR266，我的看法是不需要为当前的调整过于担心，一方面在于有DDR400、DDR333的拉动；另一方面通路商的平均库存成本也在一个较高的水位；还有UTT出货量的锐减使得充斥市场的打字条与原装条价格相差无几，被侵蚀的市场有望夺回；随着需求面的不断回温，价格走强亦在情理之中。另外，我建议可以关注一下最近备受“冷落”的SDRAM，机会往往在大家都不关注时出现。还有目前合约价和现货价呈黄金交叉，因此我也乐观估计六月中旬会有5%-7%的涨幅。

　　年中季末的六月，业内对厂家迫于压力放货现货市场心有余悸，而且确实目前内存价格走势的关键在于厂家的策略。但我的看法是厂家不会放货现货市场来打破现在的格局。原因有以下几个方面。一是DDR400厂家供应比较吃紧；二是出于进一步抬高合约价的考虑；三是厂家库存的压力已经很大程度转移至通路商、模组厂、PCOEM厂身上；四是持续的大幅亏损已经压的厂家喘不过气，厂家的平均成本在3.6-3.9美金，为了尽快脱离亏损，厂家显然不会在市场由淡转旺期间释放库存打压不断回温的价格；当然也不排除厂家少量抛掉一些库存降低风险的可能，但绝对不会影响当前的价格走势。

（出处：中关村在线）